MEMORIA RAM 4GB DDR3

O Samsung 4GB DDR3 1600MHz 2Rx8 PC3L-12800S é um módulo de memória DDR3 para portatel projetado para uso com processadores Intel.

Capacidade: 4GB

Tipo: DDR3

Frequência: 1600MHz (PC3L-12800S)

Latência CAS: Provavelmente CL11 (comum para este tipo de memória)

Voltagem: 1.35V (Baixa Voltagem)

Configuração: 2Rx8 (Dois Ranks, 8 chips por rank)

Especificações:

DDR3: Indica a terceira geração de memória DDR (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory).

4GB: Esta é a capacidade total de memória do módulo.

1600MHz: Esta é a velocidade de clock da memória, indicando a rapidez com que os dados podem ser transferidos.

2Rx8: Refere-se à organização interna do módulo de memória.

“2R” significa que existem dois bancos (“ranks”) de chips de memória dentro do módulo.

“x8” indica que cada chip tem uma largura de dados de 8 bits.

PC3L-12800S: Este é o número de peça JEDEC, que se traduz em uma taxa de transferência de dados de 12800 megabits por segundo (MT/s).

1.35V: Esta é a tensão de operação do módulo de memória, que é mais baixa do que em gerações anteriores de DDR3, resultando em menor consumo de energia.

Compatibilidade:

Este módulo de memória é projetado para uso em portatel equipados com processadores Intel que suportam memória DDR3 1600MHz.